退火炉是在半导体器件制造中使用的一种工艺，其包括加热多个半导体晶片以影响其电性能。热处理是针对不同的效果而设计的。可以加热晶片以激活掺杂剂，将薄膜转换成薄膜或将薄膜转换成晶片衬底界面，使致密沉积的薄膜，改变生长的薄膜的状态，修复注入的损伤，移动掺杂剂或将掺杂剂从一个薄膜转移到另一个薄膜或从薄膜进入晶圆衬底。
1.退火温度是否达到规定温度。亮光退火炉一般采用固溶热处理，即所谓的退火，温度规模为1040~1120℃（日本标准）。退火区的不锈钢管可通过退火炉观察孔观察，为白炽状态，但无软化下垂。
2.退火气氛。一般以纯氢为退火气氛，气氛纯度在99.99%以上。如果气氛的另一部分是惰性气体，纯度可以更低，但不能含有太多的氧气和水蒸气。
3.炉体密封。亮退火炉应关闭，与外部空气隔离；只有一个排气口是通过的（用于点燃排放的氢）。检查方法可用肥皂水擦拭退火炉各接头间隙，查看是否运行气体；简单的运行气体是退火炉进出管道，当地密封圈磨损特别简单，经常检查更换。
4.维护气压。为避免微泄漏，炉内维护气应坚持一定正压。如果是氢气维护气，一般需要20kbar以上。
5.炉内的水蒸气。一方面，检查炉体材料是否干燥，第一次安装，炉体材料必须干燥；另一方面，炉内不锈钢管是否有过多的水渍，特别是如果管上有孔，不要漏水，否则炉氛围会完全破坏。如果没有这些问题，不锈钢管应在开炉后退回约20米后开始发光，这是一种明亮的反射。
