​退火炉气密性检查重点部位？

　　

退火炉是在半导体器件制造中使用的一种工艺，其包括加热多个半导体晶片以影响其电性能。热处理是针对不同的效果而设计的。可以加热晶片以激活掺杂剂，将薄膜转换成薄膜或将薄膜转换成晶片衬底界面，使致密沉积的薄膜，改变生长的薄膜的状态，修复注入的损伤，移动掺杂剂或将掺杂剂从一个薄膜转移到另一个薄膜或从薄膜进入晶圆衬底。

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退火炉是集成电路制造工艺中的常用设备之一- 。在半导体制造中，有很多工艺(如氧化、扩散、外延、离子注人、蕉发电极等)在其完成后需要进行特定的退火热处理。
退火的主要作用是消除晶格缺陷( 使不在晶格位置上的离子运动到晶格位置，以使其具有电活性，产生自由载流子，起到激活杂质的作用)和晶格损伤(在离子注人过程中，由于受到高能粒子的撞击，导致硅结构的晶格原子发生位移，造成晶格缺陷和损伤)。
1、检修时更换设备的部位。检修时动过的炉体和管道部分，都要作为检查的关键部位。
2、开启过的顶盖、底盖、穿带孔、检修门。
3、入口密封辊缝。
4、炉壳和循环管道上的膨胀节，炉辊法兰、换热器法兰、各仪表法兰和焊口等。
5、水冷高温计、摄像头、水冷换热器等。
6、分析仪取样管接头等。