退火炉是在半导体器件制造中使用的一种工艺，其包括加热多个半导体晶片以影响其电性能，热处理是针对不同的效果而设计的。
可以加热晶片以激活掺杂剂，将薄膜转换成薄膜或将薄膜转换成晶片衬底界面，使致密沉积的薄膜，改变生长的薄膜的状态，修复注入的损伤，移动掺杂剂或将掺杂剂从一个薄膜转移到另一个薄膜或从薄膜进入晶圆衬底。
退火炉可以集成到其他炉子处理步骤中，例如氧化，或者可以自己处理，退火炉是由专门为加热半导体晶片而设计的设备完成的，退火炉是节能型周期式作业炉，超节能结构，采用纤维结构，节电60%。
那么，关于清新区退火炉应如何操作？
1、装炉前应按生产工艺卡片要求，认真核对带卷或垛板的合金牌号、批号、规格、状态、重量，按要求填写记录。
2、装料时一定要装正，带卷上下左右前后基本对称，卷与卷之间间隙基本一致，不允许超重、超长、超宽、超高。退火时卷与卷、垛与垛的重量差要尽量小(卷与卷的重量差小于1 T，垛与垛的重量差小于0.5T)。
特殊情况时，考虑装炉的经济性，可将不同厚度、不同重量的成品装在一炉内退火，但必须分区控制温度，有重量差时应将热电偶插在小卷或小垛上。
3、正确安插热电偶，热电偶的安插深度为：卷材25～30mm，板材≮50mm。其安插位置必须位于卷或垛的中心位置，并要求安插牢靠，不漏气，无短路现象。
4、打开炉门，首先松开炉门压紧装置，将炉门提升到上极限位置，并插好安全销。
5、进炉过程，⑴10T炉应先把小车和料车间的销子插好，然后开动小车，把料车推进炉膛内，等料车到位停稳后拔出销子，最后把小车开出炉膛停在原定的位置上。⑵20T炉应先接通卸料车电源，启动油泵电机，用顶升机构将装有工件的料盘顶升到上限位，然后把卸料车开入炉膛内到正确位置，并将料盘放在炉膛内的立柱上，待料盘放稳后，把卸料车开出炉膛外停在原定的位置上，并关停油泵及卸料车电源。
6、关闭炉门，等小车停稳后，拔出炉门安全销，降下炉门到下极限位，并用气缸压紧炉门，炉门压紧应均匀、密封，无明显漏气现象。
7、出炉过程与进炉过程的操作程序相反。
