退火炉是一种工艺设备，主要用于半导体器件制造中加热多个半导体晶片以影响其电性能。
退火炉是节能型周期式作业炉，采用超节能结构，如纤维结构，节电60%，其骨架由各种型钢焊接而成，炉体部分采用优质耐火砖结构，以确保炉膛的密封性。
在半导体制造过程中，退火炉通过热处理实现多种效果，如激活掺杂剂、将薄膜转换成薄膜或将薄膜转换成晶片衬底界面、使致密沉积的薄膜、改变生长的薄膜的状态、修复注入的损伤、移动掺杂剂或将掺杂剂从一个薄膜转移到另一个薄膜或从薄膜进入晶圆衬底等。
退火炉还可以集成到其他炉子处理步骤中，如氧化步骤，或者独立处理。
退火炉的温度控制范围主要取决于其类型、应用领域以及处理的材料。
一般来说，退火炉的工作温度范围在200℃至1200℃之间。然而，不同的材料和工艺可能需要不同的温度范围。
例如，在钢铁加工行业中，网带式退火炉通常在700℃-900℃的温度下工作，以改善钢材的铸造结构和机械性能。
而在航空航天领域中，网带式退火炉需要在更高的温度下工作，可以达到1200℃以上，以处理高温合金、钨、钼等材料。
同时，退火炉的温度稳定性和均匀性也至关重要，这可以减少热处理过程中的不均匀变形和质量问题。
总之，退火炉的温度控制范围是一个相对宽泛的区间，具体范围需要根据实际应用场景、处理材料以及工艺要求来确定。
